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 盛况教授,曾任美国Rutgers,The State Univ. of New Jersey大学副教授,2009年被教育部评为“长江学者”,同年底加入浙江大学电气工程学院任特聘教授,主要研究方向为电力电子器件(硅基器件、碳化硅器件等)、电力电子集成电路技术。
盛况,1974年10月出生,浙江大学求是特聘教授,博士生导师。
 
<br>1995年获浙江大学电力电子技术学士,1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士,1999-2002年任英国剑桥大学博士后,2008年获美国Rugters大学终身教职;2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导,2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。
个人简介
<br>长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
    盛况,男,1974年10月生,2009教育部长江学者,特聘教授,博士生导师。
<br>团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化,合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司,实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文270余篇,引用次数2700次以上,获授权专利20余项(40余项申请中),2010年获浙江省自然科学二等奖,2019年获国家技术发明二等奖。
    1995年毕业于浙江大学获电力电子专业学士学位;1999年毕业于英国爱丁堡Heriot-Watt大学获计算机及电气工程博士学位;1999-2002年英国剑桥大学工程学系任博士后;2002-2009在美国Rutegers大学(即新泽西州大学)任教,获终身教职;2009年被评为教育部长江学者,担任浙江大学电气工程学院特聘教授。
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    主要学术兼职有:Associate Editor, IEEE Transactions on Power Electronics(Top期刊);Associate Editor, IEEE Transactions on Industry Applications (Top期刊);IEEE高级会员;美国国家科学基金(NSF)评审委员会委员;多家国际著名学术刊物审稿人(IEEE T-PEL, IEEE T-IAS, IEEE T-ED, IEEE EDL, IEEE T-DEI, IEEE T-IE, Int. J. of Solid-State Electr., Semiconductor Science and Technology, Journal of Physics D: Applied Physics);多次担任国际会议技术、国际委员会委员(IASTED AsiaPES’07,08,09,IEEE Industrial Electronics and Applications’09, ICSET’08,PEDS’03等)。
<br>主要荣誉:
    研究方向为:电力电子技术,主要包括:1)新型的碳化硅电力电子器件,包括碳化硅平面型/垂直型功率器件(SiC-SBD, SiC-JFET,SiC-BJT, SiC-MOSFET);2)碳化硅功率电力电子集成电路芯片;3)SOI电力电子集成电路技术;4)IGBT器件的模型、芯片设计、模块设计、可靠性和产业化研究等。
<br>2009年,获国家教育部长江学者
 
<br>2012年,获国家杰出青年科学基金资助
<br>2013年,获中组部“万人计划”科技创新领军人才
工作研究领域
<br>2014年,获中国侨界贡献奖(创新人才)
 
<br>主要奖项:
电力电子器件和电力电子集成电路领域
<br>2010年,浙江省自然科学二等奖
联系方式
<br>2019年,国家技术发明二等奖(排二)
 
<br>
电话:0571-87952234
<br>https://person.zju.edu.cn/shengkuang
电子信箱:shengk@zju.edu.cn

2021年8月17日 (二) 00:06的最新版本

盛况,1974年10月出生,浙江大学求是特聘教授,博士生导师。
1995年获浙江大学电力电子技术学士,1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士,1999-2002年任英国剑桥大学博士后,2008年获美国Rugters大学终身教职;2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导,2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。
长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化,合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司,实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文270余篇,引用次数2700次以上,获授权专利20余项(40余项申请中),2010年获浙江省自然科学二等奖,2019年获国家技术发明二等奖。

主要荣誉:
2009年,获国家教育部长江学者
2012年,获国家杰出青年科学基金资助
2013年,获中组部“万人计划”科技创新领军人才
2014年,获中国侨界贡献奖(创新人才)
主要奖项:
2010年,浙江省自然科学二等奖
2019年,国家技术发明二等奖(排二)

https://person.zju.edu.cn/shengkuang