万蔡华：修订间差异

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万蔡华
湖南省浏阳市人，中科院物理所副研究员，2007年毕业于浙江大学；2012年清华大学材料系获博士学位，师从章晓中教授。2012-2016年在中科院物理所从事博士后研究工作；2016年在中科物理所任助研、副研至今。
主要从事自旋电子学领域的研究工作，研究兴趣主要集中在自旋轨道电子学、磁子电子学和自旋热电子学等凝聚态磁学领域和磁随机存储器、自旋逻辑等自旋电子器件研发领域，已在Nature、 Nature Electronics、 Nature Communications、 Science Advances、 Phys. Rev. Lett.、 Advanced Materials、 Nano Letters、 Phys. Rev. B、 Phys. Rev. Appl.、 Appl. Phys. Lett.、 Advanced Electronic Materials等杂志上发表相关SCI论文70余篇，申请和获得中国发明专利4项，授权美国发明专利1项，获得中国科学院青年创新促进会项目资助。现已承担自然科学基金项目两项，以项目骨干参与科技部国家重点研发项目两项。

经历
2016.6-今：中国科学院物理研究所，磁学国家重点实验室，副研究员
2012.7-2016.6：中国科学院物理研究所M02组，博士后，合作导师：韩秀峰研究员
2007.9-2012.7：清华大学材料科学与工程系，博士，导师：章晓中教授
2003.9-2007.7：浙江大学材料科学与工程系，学士

http://maglab.iphy.ac.cn/m02_webpage/members/chwan.htm

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-万蔡华，材料系2007级直博生，师从章晓中教授。湖南省浏阳市人，2003年考入浙江大学。2007年以优秀毕业生身份毕业于浙江大学，并获得学士学位。2007年于清华大学材料系攻读博士学位。万蔡华主要从事半导体材料的磁电阻特性的研究工作，以第一作者共发表SCI论文5篇。他研究的磁电阻材料广泛地应用于计算机读出磁头、机械运动监测、指南针和陀螺仪等磁传感领域。2009年，荷兰和日本科学家也相继报道了低温和室温下非磁性材料硅中巨大的正磁电阻现象。而万蔡华所在课题组同时间也观测到了类似的现象。在导师的指导下，经过两年时间的坚持和攻关，他们终于将前人实现的硅基磁电阻性能又向前推进了一大步，不仅将磁场灵敏度提高了一个数量级，还将器件功耗降低了1.5个数量级，使该硅基磁电阻器件接近商业应用的水平。而且因为该器件是硅基器件，它与传统IC器件的集成，会给传统的电子工业带来新的变化和机会。因此，相关成果9月15日发表在英国顶尖期刊NATURE上（Nature, 477, 304-307, 2011）。
+万蔡华
+<br>湖南省浏阳市人，中科院物理所副研究员，2007年毕业于浙江大学；2012年清华大学材料系获博士学位，师从章晓中教授。2012-2016年在中科院物理所从事博士后研究工作；2016年在中科物理所任助研、副研至今。
+<br>主要从事自旋电子学领域的研究工作，研究兴趣主要集中在自旋轨道电子学、磁子电子学和自旋热电子学等凝聚态磁学领域和磁随机存储器、自旋逻辑等自旋电子器件研发领域，已在Nature、 Nature Electronics、 Nature Communications、 Science Advances、 Phys. Rev. Lett.、 Advanced Materials、 Nano Letters、 Phys. Rev. B、 Phys. Rev. Appl.、 Appl. Phys. Lett.、 Advanced Electronic Materials等杂志上发表相关SCI论文70余篇，申请和获得中国发明专利4项，授权美国发明专利1项，获得中国科学院青年创新促进会项目资助。现已承担自然科学基金项目两项，以项目骨干参与科技部国家重点研发项目两项。
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-<br>教育经历
+<br>经历
-<br>2012.7至今：中国科学院物理研究所M02组，博士后，合作导师：韩秀峰研究员
+<br>2016.6-今：中国科学院物理研究所，磁学国家重点实验室，副研究员
+<br>2012.7-2016.6：中国科学院物理研究所M02组，博士后，合作导师：韩秀峰研究员
 <br>2007.9-2012.7：清华大学材料科学与工程系，博士，导师：章晓中教授
 <br>2003.9-2007.7：浙江大学材料科学与工程系，学士
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 <br>http://maglab.iphy.ac.cn/m02_webpage/members/chwan.htm