石成儒

石成儒
Shi Chengru

1937年1月出生，浙江绍兴人。1950年8月毕业于兰州大学原子能系（现为现代物理系）。毕业后分配到该校原子核物理研究所任职。1983年5到到1986年4月应邀赴美国加州理工学院Kellogg 辐射实验室进行科学研究工作。1989年4月起任职于杭州大学，1990年6 月晋升为教授。1991年10月到1992年5月应邀（客座研究员身份）赴德国法兰克福大学原子核物理研究所从事科学研究工作。1993年10月至1994年9月应邀赴以色列理工学院固体研究所进行科学研究工作，任客座教授。
石成儒多年来在低能加速器、离子注入机、中子发生器的研制、核技术应用及薄膜材料的生长和应用等领域开展了卓有成效的研究工作，完成了多项由国家科委、国防科工委、二机部和甘肃省科委等下达的科研项目，取得了优异成果。1962—1964年完成了600KV高压加倍加速器的设计和建造项目，并任项目组长。1970—1972年积极开展了离子注入技术的研究，与他人合作用该技术制成了场效应晶体管，达到国内先进水平。1972—1978年在两顶中子发生器的研制中，完成了总体、主机、加速管、离子源、离子聚焦系统以及真空系统等重要部分的设计和调试。150KV中子发生器获1978年甘肃省科学大会奖。300KV中子发生器获国防科工委1978—1979年战略武器及其他尖端科技成果三等奖。在强流中子发生器的研制中完成了主机、强流高梯度加速管、强离子束聚焦和传输系统及真空系统等重要部分的设计，该项目获国家教委1989年科技进步一等奖。
石成儒在杭州大学任职以来，在他带领下建立了薄膜材料研究实验室。
石成儒除完成上述科研任务外，在国内外发表论文40多篇，主要论文有：《采用离子注入新工艺制造高频场效应晶体管》（兰州大学科技专刊第1期“总第5期”1972年）；《300KV小型中子发生器》（《核物理学报》，1982年第4卷第1期）；《半导体温差致冷冷阱》（《原子能科学技术》1981年第1期）；Sec－ondevry Electron Emission from the Ertrance and Exi Surface of thin Carbon Foil under Fast Ion Bombardment ,Nuclear Instruments and Methods.1987 ，B24／24;Two Type of Mev Beam En-hamce Adhesien for Au Film on Sioz Nuclear In-struments and Methods ,1985,B9,Radiation Dam-age in Vitreous Fused Silica Induced by Mev IonImplantation .Journal of Non-crystalljine solids ,1988年第104期；Hydrogen Deph Profiling inSolids ：A Comparison of Several Resonant Nucle－ar Reaction Techniques,Nuclear Instruments and Methods ，1987年，B27;《强电子流增强化学气相沉积生长金刚石膜》（《杭州大学学报》1992年第2期及《科技通报》1995年第1期；Syn－thesis of High Grality Diamond Thin Films onLarge Area(第二次国际薄膜物理及应用会议文集，及SPIE1994年第2364 期);Growth of a Well-Adhering Diamond Coating on Sintered Tungsten Diamond and Related Materials,1955年第4 期。